| 脉冲激光沉积法（PLD）生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能 |
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| 引用本文： | 叶志高,朱丽萍,彭英姿,叶志镇,何海平,赵炳辉.脉冲激光沉积法（PLD）生长Co掺杂ZnO薄膜及其磁学性能[J].发光学报,2008,29(3). |
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| 作者姓名： | 叶志高 朱丽萍 彭英姿 叶志镇 何海平 赵炳辉 |
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| 作者单位： | 1. 浙江大学,硅材料国家重点实验室,浙江,杭州,310027
2. 杭州电子科技大学理学院,材料物理研究所,浙江,杭州,310018 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划)
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国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)及石英衬底上生长Co掺杂ZnO薄膜,并且比较了不同生长条件下薄膜的性能。实验观察到了700℃、0.02Pa氧压气氛下生长的Co掺杂ZnO薄膜显示室温磁滞回线。采用XRD、SEM等手段对Co掺杂ZnO薄膜的晶体结构及微观形貌进行了分析,得到的ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向,结构比较致密,表面平整度较高,并且没有发现Co的相关分相,初步表明Co有效地掺入了ZnO的晶格当中。霍尔测试表明Co掺杂ZnO薄膜样品保持了半导体的电学性能,电阻率为0.04Ω·cm左右,载流子浓度约为1018/cm3,迁移率都在18.7cm2/V·s以上。实验结果表明材料保持了ZnO半导体的性能,并具有室温铁磁性。
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| 关 键 词： | 氧化锌 磁性 Co掺杂 脉冲激光沉积 |
Fabrication and Magnetic Properties of Co-doped ZnO Thin Films by Pulsed Laser Deposition |
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| YE Zhi-gao,ZHU Li-ping,PENG Ying-zi,YE Zhi-zhen,HE Hai-ping,ZHAO Bing-hui.Fabrication and Magnetic Properties of Co-doped ZnO Thin Films by Pulsed Laser Deposition[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(3). |
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| Authors: | YE Zhi-gao ZHU Li-ping PENG Ying-zi YE Zhi-zhen HE Hai-ping ZHAO Bing-hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO magnetism Co doped PLD |
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