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基于腔面非注入区的半导体激光器的热特性分析
引用本文:王胜楠,薄报学,许留洋,杜洋,乔忠良,高欣.基于腔面非注入区的半导体激光器的热特性分析[J].发光学报,2014,35(8):969-973.
作者姓名:王胜楠  薄报学  许留洋  杜洋  乔忠良  高欣
作者单位:长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
基金项目:国家自然科学基金(61176048,61177019,61308051); 吉林省科技发展计划(20120361,20130206016GX)资助项目
摘    要:利用Ansys有限元分析软件模拟了宽条形激光器腔面在不同生热率条件下对有源区温度的影响,并对带有腔面非注入区的激光器结构进行了热分析,比较了不同长度的非注入区结构的器件的温度特性。腔面的温升对器件可靠性影响极大,计算结果表明随着非注入区宽度的增加,芯片前腔面有源区的温度明显降低。结果为采用非注入区结构提高COD阈值功率提供了设计参考。

关 键 词:半导体激光器  Ansys  非注入区  COD
收稿时间:2014/4/13

Thermal Analysis on Semiconductor Laser with Non-injection Region
WANG Sheng-nan,BO Bao-xue,XU Liu-yang,DU Yang,QIAO Zhong-liang,GAO Xin.Thermal Analysis on Semiconductor Laser with Non-injection Region[J].Chinese Journal of Luminescence,2014,35(8):969-973.
Authors:WANG Sheng-nan  BO Bao-xue  XU Liu-yang  DU Yang  QIAO Zhong-liang  GAO Xin
Institution:State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Science and Technology, Changchun 130022, China
Abstract:The temperature of the active region of the semiconductor laser was simulated by using Ansys with different heat generation on the cavity surface and different width of non-injection regions near cavity surface. The temperature rise of the facet has a great impact on the reliability of the laser. The results indicate that the temperature of the facet can be reduced effectively by the introduction of non-injection region. The temperature drop provides an advantage for suppressing the non-radiation recombination and optics absorption to improve the COD threshold.
Keywords:semiconductor laser  Ansys  non-injection regions  COD
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