| 具有电子阻挡层的2 μm InGaAsSb/AIGaAsSb量子阱激光器 |
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| 引用本文： | 安宁,刘国军,李占国,常量,魏志鹏,马晓辉.具有电子阻挡层的2 μm InGaAsSb/AIGaAsSb量子阱激光器[J].发光学报,2014,35(10):1205. |
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| 作者姓名： | 安宁 刘国军 李占国 常量 魏志鹏 马晓辉 |
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| 作者单位： | 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(61006039,61370043)资助项目 |
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| 摘 要： | 为了降低2 μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的阈值电流并获得良好的温度特性,在p型波导层及限制层之间引入AlGaAsSb电子阻挡层.采用理论计算方法模拟了电子阻挡层对InGaAsSb/AlGaAsSb LD输出特性的影响.研究结果表明:电子阻挡层结构可有效减少2μm InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的Auger复合,抑制量子阱中导带电子向p型限制层的溢出,降低器件的阈值电流,同时改善了温度敏感特性.
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| 关 键 词： | 2 μm半导体激光器 电子阻挡层 阈值电流 特征温度 |
| 收稿时间： | 2014/7/12 |
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