| GaN基白光LED的研制与特性 |
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| 引用本文： | 唐英杰,王宇方,杨志坚,张国义.GaN基白光LED的研制与特性[J].发光学报,2001,22(Z1):91-94. |
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| 作者姓名： | 唐英杰 王宇方 杨志坚 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，69876002， |
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| 摘 要： | 本文报导了通过低压金属有机物化学气相沉积(MOCVD)的InGaN/GaN量子阱蓝光发光二极管(LED)与钇铝石榴石(YAG)荧光粉结合而得的白光发光二极管(W-LED).在室温、正向电流20mA时,W-LED轴向亮度为170mcd,显色指数(CRI)达到82,色温(CCT)为7448K,CIE色坐标是(0.296,0.316),接近纯白色(0.33,0.33).随着注入电流的增强,测量并探讨了白光LED的发射光谱与发光强度的变化.
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| 关 键 词： | 发光二极管 白光转换 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0091-04 |
| 修稿时间： | 2001年3月17日 |
Fabrication and Properties of White Luminescence Conversion LEDs |
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