940nm水平腔面发射半导体激光器设计与制备 |
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作者单位: | 长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室,吉林 长春 130022 |
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基金项目: | 吉林省科技发展计划;吉林省科技发展计划;吉林省教育厅十三五科学技术项目 |
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摘 要: | 水平谐振腔面发射分布反馈(Surface emitting distributed feedback,SE-DFB)半导体激光器因具有更好的光束质量获得了广泛关注。本文设计了波长为940 nm的水平谐振腔面发射分布反馈半导体激光器,分析了光栅的结构参数(形状、周期、占空比、刻蚀深度等)对激光器发光特性(线宽、边模抑制比、功率及斜率效率等)的影响。结合二阶光栅、脊形波导、电极及出光口、解理封装等器件工艺,制备出发光波长为940.3 nm的水平谐振腔面发射半导体激光器,线宽为0.52 nm,连续工作模式下发射功率为890 mW。
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关 键 词: | 面发射分布反馈(SE-DFB)半导体激光器 二阶光栅 光栅形貌 耦合因子 |
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