| 磷光染料/宽禁带半导体聚合物高效率能量转移体系的电致发光 |
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| 引用本文： | 沈方中,路萍,邱松,马於光.磷光染料/宽禁带半导体聚合物高效率能量转移体系的电致发光[J].发光学报,2003,24(6):599-601. |
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| 作者姓名： | 沈方中 路萍 邱松 马於光 |
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| 作者单位： | 吉林大学,超分子结构与材料教育部重点实验室,吉林,长春,130023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(20125412,90101026) |
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| 摘 要： | 小分子磷光染料掺杂的聚合物发光器件具有发光效率高、制备工艺简单等优点，但是应该注意小分子染料的聚集与相分离问题，特别是在高掺杂浓度时更应注意防止相分离现象的发生。我们的思路是通过使用聚芴(Polyfluorene，PF)改性后的母体聚合物材料PC(poly2，7-(9，9-dihexyl fluorene)-co-alt-2，10-(cyclohex—ane-1-spiro-6／-dibenzod，f]1，3]dioxepin)])，由于其发光峰位蓝移到紫外区，这就与作为掺杂分子的Ir(ppy)3配合物的吸收匹配得更好，进而达到提高能量转移效率的目的。在此条件下，可以实现较低掺杂浓度的发光，这对降低小分子染料的聚集以及相分离现象的发生是有帮助的。采用的器件结构为ITO／PEDOT：PSS/polymer:Ir(ppy)3／Ba／Al.当使用传统PF材料作为母体时，Ir(ppy)3需达到4％的掺杂比例才能实现能量的完全转移，而当采用改进后的PF作为母体时，Ir(ppy)3配合物只需达到0．5％的掺杂比例就能实现能量的完全转移，改进后的器件掺杂比例大幅度降低。
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| 关 键 词： | 磷光染料 宽禁带半导体 能量转移 电致发光 掺杂浓度 猝灭现象 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)06-0599-03 |
Highly Efficient Energy Transfer System of Phosphorescence Dye/Board Band Gap Semiconductor Polymer |
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| SHEN Fang-zhong,LU Ping,QIU Song,MA Yu-guang.Highly Efficient Energy Transfer System of Phosphorescence Dye/Board Band Gap Semiconductor Polymer[J].Chinese Journal of Luminescence,2003,24(6):599-601. |
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| Authors: | SHEN Fang-zhong LU Ping QIU Song MA Yu-guang |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | organic light emitting phosphorescence dye polymer board band gap semiconductor |
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