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激光辐照和高温氧化硅锗合金的低维结构和发光特性
引用本文:吴克跃,宋军,吴兴举.激光辐照和高温氧化硅锗合金的低维结构和发光特性[J].发光学报,2009,30(4):541-544.
作者姓名:吴克跃  宋军  吴兴举
作者单位:皖西学院 数理系, 安徽 六安 237012
基金项目:安徽省教育厅自然科学基金(KJ2008B269);;皖西学院自然科学青年项目(WXZQ0706)资助项目
摘    要:采用强激光辐照硅锗合金,然后高温氧化的方法,在样品表面生成微米级小孔,用高精度扫描电镜观察孔内结构,发现片状纳米结构的存在。用荧光光谱仪测量其光致荧光谱,对于激光辐照(无高温氧化)的样品,在峰值705 nm处出现较强的光致发光(PL)。高温氧化后,样品在606 nm处出现一尖锐的PL光谱。利用量子受限和纳晶与氧化物的界面态综合模型解释PL光谱的产生。

关 键 词:高温氧化  激光辐照  硅锗合金  低维结构  PL光谱
收稿时间:2008-08-25

The Low-dimensional Structure and Luminescence of Nano SiGe Alloy Formed by Laser Irradiation and High Temperature Oxidation
WU Ke-yue,SONG Jun,WU Xing-ju.The Low-dimensional Structure and Luminescence of Nano SiGe Alloy Formed by Laser Irradiation and High Temperature Oxidation[J].Chinese Journal of Luminescence,2009,30(4):541-544.
Authors:WU Ke-yue  SONG Jun  WU Xing-ju
Institution:Department of Mathematics & Physics, West Anhui University, Liuan 237012, China
Abstract:A kind of low-dimensional structure on SiGe alloy film can be formed by laser irradiation (75 W power and 1 064 nm wavelength) and high temperature oxidation,and the low-dimensional structure can emit intense photoluminescence (PL). A emission model of three-level system in the interface between SiO2 and Ge crystal cluster is proposed for interpreting the PL peaks at 705 nm and 606 nm. The results in this article indicated that the band gap of Ge nanocrystals opens by quantum confinement. The emission energ...
Keywords:high temperature oxidation  laser irradiation  SiGe  low-dimensional structure  PL spectrum  
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