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| 氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用 | |
| 引用本文： | 梁建军,王永谦,陈维德,王占国,常勇.氧、硼、磷掺杂对氢化非晶硅中铒1.54μm发光的作用[J].发光学报,2000,21(3). |
| 作者姓名： | 梁建军 王永谦 陈维德 王占国 常勇 |
| 摘 要： | 利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜.在室温下注入铒离子后研究三种掺杂元素对铒离子发光的作用.室温下观察到很强的光致发光现象.氧的引入并且和铒离子形成发光中心,提高了铒离子的发光强度.退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷,提高了氢的逃逸温度,改善材料的热稳定性,使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高,铒的发光得到增强.讨论了铒离子的发光机制. |
| 关 键 词： | 铒 氧 硼 磷 光致发光 非晶硅 |
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