| 快速退火对PLD法制备SnS薄膜结构和光学性质的影响 |
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| 引用本文： | 刘磊,马明杰,刘丹丹,郭慧尔,史成武,梁齐.快速退火对PLD法制备SnS薄膜结构和光学性质的影响[J].发光学报,2015(7). |
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| 作者姓名： | 刘磊 马明杰 刘丹丹 郭慧尔 史成武 梁齐 |
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| 作者单位： | 1. 合肥工业大学 电子科学与应用物理学院,安徽 合肥,230009
2. 合肥工业大学 化学与化工学院,安徽 合肥,230009 |
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| 摘 要： | 利用脉冲激光沉积(PLD)法在玻璃基片上室温生长SnS薄膜,并在Ar气保护下分别在200,300,400,500,600℃对薄膜进行快速退火处理。利用X射线衍射(XRD)、拉曼光谱仪(Raman)、原子力显微镜(AFM)、场发射扫描电子显微镜( FE-SEM)、紫外-可见-近红外分光光度计( UV-Vis-NIR)、Keithley 4200-SCS半导体参数分析仪研究了快速退火温度对SnS薄膜的晶体结构、表面形貌以及有关光学性质和电学性能的影响。所制备的SnS薄膜样品沿(111)晶面择优取向生长,退火温度为400℃时的薄膜结晶质量最好。薄膜均具有SnS特征拉曼峰。随着退火温度的升高,薄膜厚度逐渐减小,而平均颗粒尺寸逐渐增大。不同退火温度下的SnS薄膜在可见光范围内的吸收系数均为105 cm-1量级,400℃时退火薄膜的直接带隙为1.92 eV。随着退火温度从300℃升高到500℃,电阻率由1.85×104Ω·cm下降到14.97Ω·cm。
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| 关 键 词： | SnS薄膜 脉冲激光沉积 快速退火 光学性质 |
Influence of Rapid Thermal Annealing on The Structural and Optical Properties of Pulsed Laser Deposited SnS Thin Films |
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| LIU Lei,MA Ming-jie,LIU Dan-dan,GUO Hui-er,SHI Cheng-wu,LIANG Qi.Influence of Rapid Thermal Annealing on The Structural and Optical Properties of Pulsed Laser Deposited SnS Thin Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2015(7). |
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| Authors: | LIU Lei MA Ming-jie LIU Dan-dan GUO Hui-er SHI Cheng-wu LIANG Qi |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SnS thin film pulsed laser deposition rapid thermal annealing optical properties |
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