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| GaN的声表面波特性研究 | |
| 引用本文： | 严莉,陈晓阳,何世堂,李红浪,韩培德,陈振,陆大成,刘祥林,王晓晖,李昱峰,袁海荣,陆沅,黎大兵,朱勤生,王占国.GaN的声表面波特性研究[J].发光学报,2003,24(2):161-164. |
| 作者姓名： | 严莉 陈晓阳 何世堂 李红浪 韩培德 陈振 陆大成 刘祥林 王晓晖 李昱峰 袁海荣 陆沅 黎大兵 朱勤生 王占国 |
| 作者单位： | 1. 航天航空总公司二院23所声表面波公司,北京,100854 2. 中国科学院声学研究所,北京,100083 3. 中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室,北京,100083 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(60086001,69906002)，国家重大基础研究项目(G20000683)资助项目 |
| 摘 要： | 采用金属有机物化学气相外延方法在(0001)面蓝宝石上生长了高质量、高阻的未掺杂(0001)面GaN薄膜。为精确测量GaN薄膜材料的声表面波特性，在GaN薄膜表面上沉积了金属叉指换能器，叉指换能器采用等叉指结构，叉指的数目为40对，叉指间距为15μm。采用脉冲法测量了声表面波在自由表面和金属表面上的速度，并通过计算得到了机电耦合系数(κ^2)。所测量的声表面波速度（ν)为5667m／s，机电耦合系数(κ^2)为1．9％。 |
| 关 键 词： | GaN 声表面波特性 氮化镓 声表面波速度 机电耦合系数 薄膜生长 声表面波器件 |
| 文章编号： | 1000-7032(2003)02-0161-04 |
Study of the Surface Acoustic Wave Properties of GaN |
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| Abstract: | |
| Keywords: | GaN surface acoustic wave velocity electro mechanical coupling coefficient |
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