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| PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析 | |
| 引用本文： | 张旭,张杰,闫兆文,周星宇,张福甲.PTCDA/P-Si光电探测器欧姆接触层的XPS测试分析[J].发光学报,2014(12):1459-1463. |
| 作者姓名： | 张旭 张杰 闫兆文 周星宇 张福甲 |
| 作者单位： | 1. 兰州文理学院 电子信息工程学院,甘肃 兰州摇,730000 2. 兰州大学 物理科学与技术学院,甘肃 兰州摇,730000 3. 兰州大学 应用有机国家重点实验室,甘肃 兰州摇,730000 |
| 基金项目： | 基金项目:甘肃省教育厅科研项目，甘肃省自然科学基金 |
| 摘 要： | 在光电探测器PTCDA/P-Si芯片的有机层表面,成功制作出了比接触电阻为4.5×10-5Ω·cm2的低阻欧姆接触层。利用X射线光电子能谱(XPS)对Al/Ni/ITO的欧姆接触层界面的电子状态进行了测试和分析。结果表明,ITO中的In3d及Sn3d各出现两个分裂能级的谱峰,它们是In和Sn原子处于氧化环境的结合能。Ni2p有两个谱峰Ni2p(1)及Ni2p(2),低结合能位置Ni2p(1)对应于Ni原子被X射线激发产生的谱峰,说明NiITO之间没有发生化学反应,Ni层阻止了Al层被氧化成Al2O3;高结合能Ni2p(2)谱峰说明已形成了Al3Ni冶金相,有利于低阻欧姆接触层的形成。 |
| 关 键 词： | 有机光电探测器 低阻欧姆接触层 反应机理 X射线光电子能谱 |
XPS Test Analysis of Ohmic Contact Layer of Photodetector |
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| ZHANG Xu , ZHANG Jie , YAN Zhao-wen , ZHOU Xing-yu , ZHANG Fu-jia.XPS Test Analysis of Ohmic Contact Layer of Photodetector[J].Chinese Journal of Luminescence,2014(12):1459-1463. | |
| Authors: | ZHANG Xu ZHANG Jie YAN Zhao-wen ZHOU Xing-yu ZHANG Fu-jia |
| Abstract: | |
| Keywords: | organic photodetector low-resistance Ohmic contact layer reaction mechanism X-ray photoelectron spectroscopy |
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