| ZnO薄膜的制备和结构特性及应变 |
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| 引用本文： | 邓雷磊,吴孙桃,李静.ZnO薄膜的制备和结构特性及应变[J].发光学报,2006,27(6):922-926. |
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| 作者姓名： | 邓雷磊 吴孙桃 李静 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学, 物理系, 福建, 厦门, 361005;2. 厦门大学, 萨本栋微机电研究中心, 福建, 厦门, 361005 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金;福建省科技计划;厦门大学校科研和教改项目 |
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| 摘 要： | 在SiO2/Si衬底上面,利用射频磁控溅射方法,在不同的工艺条件下生长ZnO薄膜,然后进行热处理(600～1000℃退火).研究了氩氧比和退火温度对薄膜结晶性能的影响.薄膜的表面结构和晶体特性通过扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)来进行表征.结果表明:所制备的薄膜为多晶纤锌矿结构,具有垂直于衬底的c轴(002)方向的择优取向性.热处理可使ZnO(002)衍射峰相对强度增强,半峰全宽(FWHM)变小,即退火使c轴生长的薄膜取向性增强.未经退火的ZnO薄膜存在张应力,经过热处理后应力发生改变,最后变成压应力,并且随着退火温度的升高,压应力逐渐增大.
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| 关 键 词： | ZnO薄膜 射频磁控溅射 X射线衍射 扫描电子显微镜 |
| 文章编号： | 1000-7032（2006）06-0922-05 |
| 收稿时间： | 2005-12-20 |
| 修稿时间： | 2005-12-202006-03-01 |
Preparation,Structural and Strain Properties of ZnO Thin Films |
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| DENG Lei-lei,WU Sun-tao,LI Jing.Preparation,Structural and Strain Properties of ZnO Thin Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2006,27(6):922-926. |
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| Authors: | DENG Lei-lei WU Sun-tao LI Jing |
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| Institution: | 1. Department of Physics, Xiamen University, Xiamen 361005, China;2. Pen-Tung Sah MEMS Research Center, Xiamen University, Xiamen 361005, China |
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| Abstract: | ZnO has awide band gap of 3.37 eV, low lasing power threshold for optical pumping at room temperature, and UV emission resulted from a large exciton binding energy of 60meV, so itcan be used as light emitting diodes (LED), photodetectors, and shortwave laser. To fabricate the devices, high quality ZnO thin films are often required, such as they should have good crystal properties with high c-axis orientation and low stress. Many researches have been done on the preparation of high quality ZnO films in recentyears. |
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| Keywords: | ZnO thin film RF magnetron sputtering XRD SEM |
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