首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

LiF修饰阴极的双层有机电致发光器件的延时效应
引用本文:王俊西,李宏建,熊志勇,徐仁伯,李雪勇.LiF修饰阴极的双层有机电致发光器件的延时效应[J].发光学报,2010,31(1):17-24.
作者姓名:王俊西  李宏建  熊志勇  徐仁伯  李雪勇
作者单位:1. 中南大学 物理科学与技术学院, 湖南 长沙 410083;2. 中南大学 材料科学与工程学院, 湖南 长沙 410083
基金项目:湖南省杰出青年科学基金(03JJY1008);;中国博士后科学基金(2004035083);;湖南省自然科学基金(05JJ20034);;中南大学科学基金(0601059)资助项目
摘    要:基于载流子的注入、传输和复合过程,建立了双层有机发光器件的电致发光延时理论模型;讨论了电致发光延时随电压、注入势垒、内界面势垒、阳极区厚度及LiF缓冲层(BL)厚度的变化关系。结果表明:(1)低电压下,EL延时由复合过程主导,而高电压下,输运过程起着更重要的作用;(2)当δe/δh2时,M/O界面属于欧姆接触,电流是空间电荷限制的,注入势垒的变化对复合时间trec影响较大,当δe/δh2时,M/O界面成为接触限制,注入势垒的变化对trec几乎没有影响;(3)当内界面势垒超过0.3eV,H′h对trec的影响明显变弱,复合延迟时间基本上由电压和其它因素控制;(4)当电压较小时,随Lh/L的增大,trec增大;当电压超过某一值后,trec几乎不随Lh/L的变化而变化;(5)对于LiF/Ag阴极,在不同的偏压下,LiF的厚度在3.1nm左右时的复合时间最短,对应的EL延迟时间也最短,这与实验中从电致发光效率的角度得出的LiF最佳厚度一致。

关 键 词:电致发光延时  注入势垒  内界面势垒  LiF修饰
收稿时间:2009-03-30

Study on Electroluminescent Delay Time in Bilayer Organic Light-emitting Diodes with LiF/Ag Cathode
WANG Jun-xi,LI Hong-jian,XIONG Zhi-yong,XU Ren-bo,LI Xue-yong.Study on Electroluminescent Delay Time in Bilayer Organic Light-emitting Diodes with LiF/Ag Cathode[J].Chinese Journal of Luminescence,2010,31(1):17-24.
Authors:WANG Jun-xi  LI Hong-jian  XIONG Zhi-yong  XU Ren-bo  LI Xue-yong
Institution:1. College of Physics Science and Technology, Central South University, Changsha 410083, China;2. College of Materials Science and Engineering, Central South University, Changsha 410083, China
Abstract:Based on the mechanism of injection,transport and recombination of the charge carriers,a model was developed to calculate the delay time of electroluminescence (EL) from bilayer organic light-emitting diodes.The relations of the recombination delay time versus the applied voltage and injection barrier or internal interfacial barrier or the thickness of organic layer were revealed.The optimal thickness of inserted LiF in bilayer organic light-emitting devices was calculated.The results shown that:(1) the EL ...
Keywords:EL delay time  injection barrier  internal interface barrier  LiF modification  
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《发光学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《发光学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号