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| 反应溅射的硫化镉薄膜 | |
| 引用本文： | 王全坤.反应溅射的硫化镉薄膜[J].发光学报,1975(1). |
| 作者姓名： | 王全坤 |
| 摘 要： | 用反应溅射法在升华了的硫和氩的混合气氛中,制成了与化学组分比接近的Cd5(硫化镉)薄膜。其特性十分依赖于溅射条件,即溅射速度、升华温度和氩气压等。在温度为125℃的硫气氛中溅射的CdS薄膜,暗电阻率为2×10~(10)欧·厘米。把CdTe(碲化镉)蒸发在CdS溅射膜上,制成了CdS-CdTe异质结,并观察了这些结的整流特性和可见光范围内的光谱响应。 |
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