| 侧向外延生长GaN的结构特性 |
| |
| 引用本文： | 张荣,顾书林,修向前,卢殿清,沈波,施毅,郑有炓,KUAN T S.侧向外延生长GaN的结构特性[J].发光学报,2001,22(Z1):53-56. |
| |
| 作者姓名： | 张荣 顾书林 修向前 卢殿清 沈波 施毅 郑有炓 KUAN T S |
| |
| 作者单位： | 1. 南京大学物理系,
2. Department of Physics State University of New York at Albany |
| |
| 基金项目： | 国家高技术研究发展计划(863计划),国家自然科学基金,20000683,69976014,69636010,69806006,69987001,, |
| |
| 摘 要： | 研究了在刻有图形的GaN"衬底”上用HVPE方法侧向外延生长(ELO)GaN的结构特性.在SiO2衬底上侧向外延生长GaN已经实现,并得到了平面的ELO GaN薄膜.采用扫描电子显微镜、透射电微镜和原子力显微镜技术研究了这种ELO GaN材料的结构和表面形貌.原子力显微镜图像表明:在ELO范围中的4μm2面积上不存在明显的阶状形貌.透射电子显微镜的观测表明在ELO范围内位错密度很低.在接合的界面上没观察到有空隙存在.但观测到晶格的弯曲高达3.3°,这被归因为由GaN层下的"籽层”和接合界面处的水平倾料和猝灭所产生的螺旋位错的积聚.
|
| 关 键 词： | GaN 侧向外延生长 氢化汽相外延 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)增-0053-04 |
| 修稿时间： | 2001年1月5日 |
Structural Properties of Laterally Overgrown GaN |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
|
