| 包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性 |
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| 引用本文： | 王颖,申德振,刘益春,张吉英,张振中,刘英麟,吕有明,范希武.包埋于氮化硅薄膜中的硅团簇的光致发光特性[J].发光学报,2004,25(6):705-709. |
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| 作者姓名： | 王颖 申德振 刘益春 张吉英 张振中 刘英麟 吕有明 范希武 |
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| 作者单位： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,激发态物理重点实验室,吉林,长春,130033 |
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| 基金项目： | 国家自然科学重点基金(60336020)，"863"高技术项目(2001AA31112)，国家自然科学基金(60278031，60176003，60376009)，中科院创新工程资助项目 |
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| 摘 要： | 采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术，在低温下制备了富硅氢化氮化硅薄膜。利用红外吸收(IR)谱，光电子能谱(XPS)和光致发光(PL)谱，研究了在不同温度下退火的薄膜样品的结构和发光特性。在经过低温退火的薄膜中观测到一个强的可见发光峰。当退火温度较高时，随着与硅悬键有关的发光峰消失，可见发光峰位发生了蓝移。讨论了退火对薄膜中硅团簇的形成及其对发光的影响。根据Raman谱，计算了氮化硅薄膜中硅团簇的尺寸大小。通过实验结果和分析，我们认为PL谱中较强的室温可见发光峰来自于包埋于氮化硅中的硅团簇。
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| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积 光致发光 硅团簇 量子限制效应 |
| 文章编号： | 1000-7032(2004)06-0705-05 |
| 修稿时间： | 2004年4月15日 |
Photoluminescent Properties of Si Clusters Embedded in Silicon Nitride Films |
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| WANG Ying,SHEN De-zhen,LIU Yi-chun,ZHANG Ji-ying,ZHANG Zhen-zhong,LIU Ying-lin,LU You-ming,FAN X Wptics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun ,China.Photoluminescent Properties of Si Clusters Embedded in Silicon Nitride Films[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(6):705-709. |
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| Authors: | WANG Ying SHEN De-zhen LIU Yi-chun ZHANG Ji-ying ZHANG Zhen-zhong LIU Ying-lin LU You-ming FAN X Wptics Fine Mechanics and Physics Chinese Academy of Sciences Changchun China |
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| Institution: | WANG Ying,SHEN De-zhen,LIU Yi-chun,ZHANG Ji-ying,ZHANG Zhen-zhong,LIU Ying-lin,LU You-ming,FAN X Wptics,Fine Mechanics and Physics,Chinese Academy of Sciences,Changchun 130033,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | PECVD photoluminescence Si clusters quantum confinement effect |
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