| ZnO∶V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性 |
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| 引用本文： | 张丽亭,魏凌,张杨,张伟风.ZnO∶V薄膜后退火处理前后的微结构与发光特性[J].发光学报,2007(4). |
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| 作者姓名： | 张丽亭 魏凌 张杨 张伟风 |
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| 作者单位： | 河南大学物理与电子学院 河南开封475004 |
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| 基金项目： | 河南省高校创新人才培养工程(2002006)，河南省杰出人才创新基金(0421001500)资助项目 |
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| 摘 要： | 利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法在单晶硅(100)衬底上分别制备了ZnO∶V薄膜和纯ZnO薄膜。为进一步研究后退火对ZnO∶V薄膜结构和发光性质的影响,在两段式快速退火后又在800℃下进行了后退火处理。X射线衍射的结果表明:后退火处理前,钒(V)的掺入使ZnO结晶质量变差,而800℃退火处理后,从ZnO的衍射峰中可以看出,相对于无V杂样品其结晶质量变好。扫描电子显微镜形貌图中可以看出制备的样品薄膜颗粒大小均匀,薄膜致密度较高。光致发光(PL)谱的研究表明:ZnO∶V薄膜在800℃退火处理后,紫外和绿带发光峰均增强,但紫外发光峰增强得更多;与同样条件下制备的纯ZnO薄膜的PL谱比较,发现V掺杂后样品的紫外激子复合发光峰的强度明显增强且峰位发生蓝移,而缺陷引起的绿带发光峰的强度降低。
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| 关 键 词： | ZnO 钒掺杂 光致发光 溶胶-凝胶法 薄膜 |
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