| Er^(3+)掺杂对ZnO/GaN发光二极管电致发光性能的调控EI北大核心CSCD |
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| 引用本文： | 刘威李竹新王俊洁石增良.Er^(3+)掺杂对ZnO/GaN发光二极管电致发光性能的调控EI北大核心CSCD[J].发光学报,2021(6):863-870. |
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| 作者姓名： | 刘威李竹新王俊洁石增良 |
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| 作者单位： | 1.东南大学生物科学与医学工程学院生物电子学国家重点实验210096; |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(11734005,61821002,62075041)；国家重点研发计划(2018YFA0209101,2017YFA0700500)资助项目。 |
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| 摘 要： | 采用水热法制备了Er^(3+)掺杂的ZnO纳米棒阵列,通过场发射扫描电镜、X单晶衍射谱仪、透射电镜、微区显微光谱仪等对其形貌结构和发光性能进行了表征。结果表明,掺杂前后ZnO纳米棒的形貌及晶型结构未发生改变,Er^(3+)被均匀地掺杂至ZnO纳米棒中,并未发现形成Er_(2)O_(3);掺杂Er^(3+)后样品的光致发光光谱显示400 nm左右蓝光部分占比先提高后减少,其可见光占比减少归因于Er^(3+)填补了一部分锌空位缺陷,同时抑制了一部分氧空位缺陷。结合荧光寿命光谱分析也可发现其辐射发光部分寿命延长,表明荧光辐射效率提高。最终选取掺杂浓度为30%的单根ZnO纳米棒制备ZnO/GaN异质结发光二极管,与未掺杂Er^(3+)的样品相比,其电致发光强度提高了5倍。本研究可为ZnO基电致发光器件的性能改善提供一种简便可行的方法。
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| 关 键 词： | ZnO纳米棒阵列 Er^(3+)掺杂 缺陷调控 电致发光器件 |
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