| 电子辐照GaN基LED的缺陷光学性能研究 |
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| 引用本文： | 牛萍娟,吴英蕾,于莉媛,朱文睿,刘超,杨洁.电子辐照GaN基LED的缺陷光学性能研究[J].发光学报,2016(7):798-803. |
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| 作者姓名： | 牛萍娟 吴英蕾 于莉媛 朱文睿 刘超 杨洁 |
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| 作者单位： | 1. 天津工业大学电子与信息工程学院,天津300387;天津工业大学电气工程与自动化学院,天津300387;2. 天津工业大学电子与信息工程学院,天津,300387 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金青年基金(11204211)，天津市应用基础与前沿技术研究计划(13JCQNJC00700) |
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| 摘 要： | 采用基于第一性原理计算的平面波超软赝势方法,计算电子辐照后由简单缺陷引起的GaN外延材料的光学性能变化。首先计算出本征GaN晶体的性质作为研究缺陷性质变化的参照,着重分析了VN、V_(Ga)、GaN、Mg_(Ga)、Mg_(Ga)-O_N、Mg_(Ga)-VN、V_(Ga)-O_N等缺陷对光吸收谱的影响。由于In GaN多量子阱是主要的LED发光来源,还对不同In摩尔分数掺杂下的GaN进行了光学性质研究。结果表明:VN、GaN和In掺杂等缺陷使GaN主吸收峰出现红移且吸收系数均降低;而V_(Ga)、Mg_(Ga)、Mg_(Ga)-O_N、V_(Ga)-O_N均使GaN的主吸收峰出现蓝移,只是Mg_(Ga)缺陷使主吸收峰峰值增加,其余缺陷均使主峰吸收系数降低;Mg_(Ga)-VN仅仅减小了主峰峰值,并未改变光子吸收波长。研究结果表明,电子辐照后的缺陷会使材料性能发生变化。
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| 关 键 词： | 第一性原理计算 电子辐照 GaN 缺陷 光学性能 |
Optical Properties of Defects in GaN Based LED Irradiated by Electron |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | first-principles calculation electron irradiation GaN point defects optical properties |
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