| 生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响 |
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| 引用本文： | 贾国治,姚江宏,舒永春,邢晓东,皮彪.生长温度和结构参数对InGaAs／GaAs量子阱光学特性的影响[J].发光学报,2008,29(2):325-329. |
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| 作者姓名： | 贾国治 姚江宏 舒永春 邢晓东 皮彪 |
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| 作者单位： | 1. 天津城市建设学院,天津,300384
2. 南开大学,弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津,300457;泰达应用物理学院,天津,300457 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金
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国家重点基础研究发展计划(973计划)
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天津市应用基础研究项目
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天津城市建设学院人才启动经费资助项目 |
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| 摘 要： | 研究了不同生长温度下制备的In0.15Ga0.85As/GaAs应变量子阱的PL谱,结果表明,生长温度越高,In偏析和In-Ga互混越严重,同时,导致更多的In脱附,PL谱发光峰蓝移。对不同In含量的和不同InGaAs厚度的InGaAs/GaAs量子阱进行PL谱测试,分析表明In含量<0.2,生长温度低于560℃时,In含量和InGaAs层量子阱的厚度对In偏析、脱附和In-Ga互混基本没有影响。
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| 关 键 词： | 应变量子阱 偏析 脱附 光致发光谱 |
| 文章编号： | 1000-7032(2008)02-0325-05 |
| 修稿时间： | 2007年8月25日 |
Influence of Growth Temperature and Structure Parameters on Optical Characteristic InGaAs/GaAs Quantum Wells |
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| JIA Guo-zhi,YAO Jiang-hong,SHU Yong-chun,XING Xiao-dong,PI Biao.Influence of Growth Temperature and Structure Parameters on Optical Characteristic InGaAs/GaAs Quantum Wells[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(2):325-329. |
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| Authors: | JIA Guo-zhi YAO Jiang-hong SHU Yong-chun XING Xiao-dong PI Biao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | strained quantum well segregation desorption photoluminescence |
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