| 极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响 |
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| 引用本文： | 路慧敏,陈根祥.极化效应对InGaN/GaN多量子阱结构光电特性的影响[J].发光学报,2011,32(3):266-271. |
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| 作者姓名： | 路慧敏 陈根祥 |
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| 作者单位： | 北京交通大学,光波技术研究所,北京,100044 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(60777013); 北京市自然科学基金(4082023); 北京交通大学优秀博士生科技创新基金(141063522)资助项目 |
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| 摘 要： | 通过求解修正的基于k·p方法的有效质量哈密顿方程并与泊松方程进行自洽,得到在极化效应影响下InGaN/GaN多量子阱的能带结构和自发辐射谱.计算结果表明,极化效应使InGaN/GaN多量子阱结构的带边由方形势变成三角形势,使导带和价带间的带隙宽度减小导致发光峰值波长红移,并使电子和空穴的分布产生空间分离从而减小发光效率...
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| 关 键 词： | InGaN/GaN 极化效应 多量子阱 自发辐射谱 |
Influence of Polarization Effect on Optoelectronic Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well |
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| LU Hui-min,CHEN Gen-xiang.Influence of Polarization Effect on Optoelectronic Properties of InGaN/GaN Multiple Quantum Well[J].Chinese Journal of Luminescence,2011,32(3):266-271. |
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| Authors: | LU Hui-min CHEN Gen-xiang |
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| Institution: | LU Hui-min,CHEN Gen-xiang (Institute of Lightwave Technology,Beijing Jiaotong University,Beijing 100044,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | InGaN/GaN polarization effect multiple quantum well spontaneous emission spectra |
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