| 离子注入及后退火方法制备SiO2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质 |
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| 引用本文： | 刘玉学,刘益春,申德振,钟国柱,范希武,孔祥贵.离子注入及后退火方法制备SiO2基质中镶嵌ZnO纳米粒子的结构和光学性质[J].发光学报,2002,23(5):445-450. |
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| 作者姓名： | 刘玉学 刘益春 申德振 钟国柱 范希武 孔祥贵 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130022;东北师范大学物理系理论物理研究所,吉林,长春,130024
2. 中国科学院激发态物理重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林,长春,130022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(60176003) |
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| 摘 要： | 利用离子注入及后退火方法在光学纯的石英基片中注入3×1017cm-2剂量的Zn离子,然后在不同的退火条件下制备了高质量的镶嵌在SiO2基质中的ZnO纳米粒子.X射线衍射光谱的实验结果表明在氧气气氛、700℃退火温度和2小时退火时间条件下,得到了(002)择优取向镶嵌在SiO2基质中的ZnO纳米粒子;而在700℃退火温度、N2和O2气氛下顺次退火1小时,得到了比上述条件(002)择优取向更好的ZnO纳米粒子.室温下对用上述两种条件制备的镶嵌在SiO2基质中的ZnO纳米粒子观察到了自由激子吸收峰.室温光致发光谱中观察到了ZnO纳米粒子位于3.29eV处的强紫外发射,紫外发射强度与深能级发光强度之比为40,紫外发射峰的半高宽为96meV,晶体质量类似于分子束外延方法生长的ZnO.在低温(77K)光致发光谱中,较强的自由激子的紫外发光峰仍然存在.
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| 关 键 词： | 后退火方法 制备 SiO2基质 结构 光学性质 离子注入 ZnO纳米粒子 光致发光 激子 氧化锌 二氧化硅基质 |
| 文章编号： | 1000-7032(2002)05-0445-06 |
| 修稿时间： | 2001年9月19日 |
Structure and Optical Properties of ZnO Nanoparticles Embedded in SiO2 Prepared by Ion Implantation and Post-thermal Annealing |
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| LIU Yu xue ,LIU Yi chun ,SHEN De zhen ,ZHONG Guo zhu ,FAN X W ,KONG Xiang gui.Structure and Optical Properties of ZnO Nanoparticles Embedded in SiO2 Prepared by Ion Implantation and Post-thermal Annealing[J].Chinese Journal of Luminescence,2002,23(5):445-450. |
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| Authors: | LIU Yu xue LIU Yi chun SHEN De zhen ZHONG Guo zhu FAN X W KONG Xiang gui |
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| Institution: | LIU Yu xue 1,2,LIU Yi chun 1*,SHEN De zhen 1,ZHONG Guo zhu 1,FAN X W 1,KONG Xiang gui 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ion implantation ZnO nanoparticles thermal annealing photoluminescence exciton |
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