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| 氨分压对液相外延GaP材料的影响 | |
| 引用本文： | 李桂英,王亚芳,谭浩达,李进学.氨分压对液相外延GaP材料的影响[J].发光学报,1981,2(1):63-67. |
| 作者姓名： | 李桂英 王亚芳 谭浩达 李进学 |
| 作者单位： | 冶金部有色金属研究总院 |
| 摘 要： | GaP是间接能隙的半导体材料,发光效率低.在GaP中掺氮可以提高发光效率,但掺氮量过高会导致外延层表面高低不平和增加光吸收,而降低发光效率.国外报导的最佳掺氮量不一,一般为8×1017～4×1018/厘米31]2]3].多数是采用通氨掺氮的方法.本文也是以氨做为氮的掺杂源.先用干冰收集成液体氨然后用氢气携带液体氨,实现氮的掺杂.在其它外延条件相同的情况下,只改变氢气中的氨分压,进行液相外延生长,发现所生长的GaP外延片的氮峰强度,外延片表面平整度,外延片所制发光管的总光通量,功率效率和氨分压有关. |
| 收稿时间： | 1980-12-05 |
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