| 以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜 |
| |
| 引用本文： | 崔军朋,段垚,王晓峰,曾一平,ZENG Yi-ping.以Au为缓冲层在Si衬底上生长ZnO薄膜[J].发光学报,2008,29(5). |
| |
| 作者姓名： | 崔军朋 段垚 王晓峰 曾一平 ZENG Yi-ping |
| |
| 作者单位： | 中国科学院,半导体研究所材料中心,北京,100083 |
| |
| 摘 要： | 采用化学气相沉积(CVD)方法在Si(001)衬底上分别制备了有金属Au缓冲层以及无Au缓冲层的ZnO薄膜。其中Au缓冲层在物理气相沉积(PVD)设备中蒸发,厚度大约为300nm。有Au缓冲层的ZnO薄膜晶体质量比直接在Si衬底上生长有了显著提高。利用X射线衍射(XRD)研究了所生长ZnO薄膜的结晶质量,有Au缓冲层的ZnO薄膜虽然仍为多晶,但显示出明显的择优取向。用光学显微镜研究了ZnO薄膜的表面特征,金属Au缓冲层显著地提高了在Si衬底上生长的ZnO薄膜的晶粒尺寸及平整度。同时利用室温光致发光(PL)谱研究了ZnO薄膜的光学性质,并分析了有Au缓冲层的ZnO薄膜NEB发光峰强度反而弱的可能原因。
|
| 关 键 词： | ZnO薄膜 Au缓冲层 化学气相沉积 |
ZnO Film Grown on Si Substrate with an Au Buffer Layer |
| |
| CUI Jun-peng,DUAN Yao,WANG Xiao,feng,ZENG Yi-ping.ZnO Film Grown on Si Substrate with an Au Buffer Layer[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(5). |
| |
| Authors: | CUI Jun-peng DUAN Yao WANG Xiao feng ZENG Yi-ping |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | ZnO epitaxial film Au buffer layer CVD |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
|
