首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

氧,硼,磷掺杂对氢化非晶硅中饵1.54um发光的作用
引用本文:梁建军,王永谦,等.氧,硼,磷掺杂对氢化非晶硅中饵1.54um发光的作用[J].发光学报,2000,21(3):196-199.
作者姓名:梁建军  王永谦
作者单位:[1]中国科学院半导体研究所,北京100083 [2]中国科学院凝聚态物理中心和表面物理国家重点实验室,北京100080
基金项目:国家自然科学基金资助课题! ( 699760 2 8,6963 60 40 )
摘    要:利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)技术生长氧、硼、磷掺杂的氢化非晶硅薄膜。在室温下注入饵离子后研究三种掺杂元素对饵离子发光的作用。室温下观察到很强的光致发光现象。氧的引入并且和饵离子形成发光中心,提高了饵离子的发光强度。退火实验表明氧、硼、磷的掺杂补偿了材料中的缺陷,提高了氢的逃逸温度,改善的热稳性,使材料的退火温度因掺杂元素的加入而提高,饵的发光得到增强。讨论了饵离子的发光机制。

关 键 词:        发致发光  掺杂  氢化非晶硅  半导体
修稿时间:1999-12-17

Influence of O, B, P on 1.54
LIANG Jian jun ,WANG Yong qian ,CHEN Wei de ,WANG Zhan guo ,CHANG Yong.Influence of O, B, P on 1.54[J].Chinese Journal of Luminescence,2000,21(3):196-199.
Authors:LIANG Jian jun    WANG Yong qian    CHEN Wei de    WANG Zhan guo  CHANG Yong
Institution:LIANG Jian jun 1,2,WANG Yong qian 1,2,CHEN Wei de 1,2,WANG Zhan guo 1,CHANG Yong 3
Abstract:
Keywords:Er  O  B  P  luminescence  hydrogenated amorphous silicon
本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号