| Be掺杂InAs处组织量子点的发光特性 |
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| 引用本文： | 王海龙,朱海军.Be掺杂InAs处组织量子点的发光特性[J].发光学报,2000,21(1):20-23. |
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| 作者姓名： | 王海龙 朱海军 |
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| 作者单位： | [1]中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实验室,北京 [2]中国科学院半导体研究所,半导体超晶格国家重点实 |
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| 基金项目： | 国家攀登计划，国家自然科学基金资助!( 697760 1和 1982 3 0 0 1) |
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| 摘 要： | 首次细致地研究了ＩｎＡｓ量子点中直接掺杂Ｂｅ对其发光特性的影响。光致发光（ＰＬ）谱的研究表明，较低掺杂浓度时，发光峰蓝移，同时伴随着发光谱线变窄。而较高浓度的掺杂会对量子点的光谱特性产生不良的影响，发光强度明显变弱。相信该研究对ＩｎＡｓ自组织量子点在器件应用方面有很重要的意义。
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| 关 键 词： | 量子点 光致发光 掺杂 铍 砷化铟 |
| 文章编号： | 1000-7032(2000)01-0020-04 |
| 修稿时间： | 1999-04-07 |
Photoluminescence in Be-doped Self-organized InAs Quantum Dots |
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| WANG Hai long ,ZHU Hai jun ,FENG Song lin ,NING Dong ,WANG Hui ,WANG Xiao dong ,JIANG De sheng.Photoluminescence in Be-doped Self-organized InAs Quantum Dots[J].Chinese Journal of Luminescence,2000,21(1):20-23. |
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| Authors: | WANG Hai long ZHU Hai jun FENG Song lin NING Dong WANG Hui WANG Xiao dong JIANG De sheng |
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| Institution: | WANG Hai long 1,2,ZHU Hai jun 1,FENG Song lin 1,NING Dong 1,WANG Hui 1,WANG Xiao dong 1,JIANG De sheng 1 |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | self organized InAs quantum dots photoluminescence doping |
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