| MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象 |
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| 引用本文： | 徐峰,陈敦军,张荣,谢自力,刘斌,刘启佳,江若涟,郑有阧.MOCVD生长的InN薄膜中In分凝现象[J].发光学报,2008,29(5). |
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| 作者姓名： | 徐峰 陈敦军 张荣 谢自力 刘斌 刘启佳 江若涟 郑有阧 |
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| 作者单位： | 南京大学物理系,江苏省光电功能材料重点实验室,江苏,南京,210093 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国家重点基础研究发展规划(973计划)专项，新世纪优秀人才支持计划，江苏省自然科学基金 |
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| 摘 要： | 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法不同生长条件下在c面蓝宝石衬底上制备了InN薄膜,通过不同的物理表征手段研究了InN薄膜的物理性质,结果表明:合适的生长温度可以抑制InN薄膜表面分凝现象。研究认为较低的生长温度使作为N源的NH3分解率较低,In—N的成键可能性小,导致In在表面聚集出现分凝;而较高生长温度时,InN薄膜中In—N键能较小,易发生断裂,反应活性较强的N和H原子逸离薄膜表面,In滞留在薄膜表面也导致In分凝现象的出现。相对于表面分凝的样品,未出现表面分凝的样品的薄膜晶体质量和表面形貌也得到了提高。同时,通过Raman散射谱研究了晶格振动E2声子模的应力效应。
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| 关 键 词： | In分凝 X射线衍射 原子力显微镜 X射线光电子谱 Raman散射 |
Study on In Segregation in InN Films Grown by Metal-organic Chemical Vapor Deposition |
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| XU Feng,CHEN Dun-jun,ZHANG Rong,XIE Zi-li,LIU Bin,LIU Qi-jia,JIANG Ruo-lian,ZHEN You-liao.Study on In Segregation in InN Films Grown by Metal-organic Chemical Vapor Deposition[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(5). |
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| Authors: | XU Feng CHEN Dun-jun ZHANG Rong XIE Zi-li LIU Bin LIU Qi-jia JIANG Ruo-lian ZHEN You-liao |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | In segregation X-ray diffraction atomic force microscope X-ray photoelectron spectroscopy Raman scattering |
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