首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

基于YAG∶Ce~(3+)荧光材料的中子管靶点表征方法
引用本文:李刚,臧帅普,乔双,张昕彤.基于YAG∶Ce~(3+)荧光材料的中子管靶点表征方法[J].发光学报,2017,38(1):45-49.
作者姓名:李刚  臧帅普  乔双  张昕彤
作者单位:1. 东北师范大学 物理学院, 吉林 长春 130024; 2. 东北师范大学 紫外光发射材料与技术教育部重点实验室, 吉林 长春 130024
基金项目:国家自然科学基金(11505026);中物院中子物理学重点实验室开放课题(2013BC01)资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China(11505026); Open Subject of Key Laboratory of Neutron Physics of China Academy of Engineering Physics
摘    要:为实现伴随粒子中子管研究中的小靶点表征,设计了一种基于YAG∶Ce材料的模块化荧光靶体,给出了一种靶点实时监视与测量的方法。利用该方法实现了伴随粒子中子管最小4 mm直径靶点的实验工作。研究中在可更换的荧光靶面上经过激光雕刻阵列化后,能够分辨毫米级甚至亚毫米级的靶点大小。经过长时间高能离子束轰击后的YAG∶Ce材料靶面能够持续发光,未见性能下降,证明YAG∶Ce材料具有良好的耐辐照性能。

关 键 词:伴随粒子中子管  小靶点  YAG:Ce荧光粉  荧光靶  耐辐照
收稿时间:2016-06-28
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《发光学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《发光学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号