基于YAG∶Ce~(3+)荧光材料的中子管靶点表征方法 |
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引用本文: | 李刚,臧帅普,乔双,张昕彤.基于YAG∶Ce~(3+)荧光材料的中子管靶点表征方法[J].发光学报,2017,38(1):45-49. |
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作者姓名: | 李刚 臧帅普 乔双 张昕彤 |
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作者单位: | 1. 东北师范大学 物理学院, 吉林 长春 130024;
2. 东北师范大学 紫外光发射材料与技术教育部重点实验室, 吉林 长春 130024 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(11505026);中物院中子物理学重点实验室开放课题(2013BC01)资助项目Supported by National Natural Science Foundation of China(11505026); Open Subject of Key Laboratory of Neutron Physics of China Academy of Engineering Physics |
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摘 要: | 为实现伴随粒子中子管研究中的小靶点表征,设计了一种基于YAG∶Ce材料的模块化荧光靶体,给出了一种靶点实时监视与测量的方法。利用该方法实现了伴随粒子中子管最小4 mm直径靶点的实验工作。研究中在可更换的荧光靶面上经过激光雕刻阵列化后,能够分辨毫米级甚至亚毫米级的靶点大小。经过长时间高能离子束轰击后的YAG∶Ce材料靶面能够持续发光,未见性能下降,证明YAG∶Ce材料具有良好的耐辐照性能。
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关 键 词: | 伴随粒子中子管 小靶点 YAG:Ce荧光粉 荧光靶 耐辐照 |
收稿时间: | 2016-06-28 |
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