| C~ 注入a-SiN_x∶H薄膜的微结构及光发射的研究 |
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| 引用本文： | 陈超,刘渝珍,张国斌,徐彭寿,符义兵,董立军,陈大鹏.C~ 注入a-SiN_x∶H薄膜的微结构及光发射的研究[J].发光学报,2007(4). |
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| 作者姓名： | 陈超 刘渝珍 张国斌 徐彭寿 符义兵 董立军 陈大鹏 |
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| 作者单位： | 中国科学院研究生院 北京100049(陈超，刘渝珍)，中国科学技术大学 安徽合肥230026(张国斌，徐彭寿，符义兵)，中国科学院微电子研究所 北京100029(董立军，陈大鹏) |
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| 基金项目： | 中国科学院院长基金资助项目(936) |
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| 摘 要： | 常温下对低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx∶H薄膜进行低能量高剂量的C 注入后,在800~1 200℃高温进行常规退火处理。X射线光电子能谱(XPS)及X射线光电子衍射(XRD)等实验结果表明,当退火温度由800℃升高到1200℃后,薄膜部分结构由SiCxNy转变成SiNx和SiC的混合结构。低温下利用真空紫外光激发,获得分别来自于SiNx、SiCxNy、SiC的,位于2.95,2.58,2.29 eV的光致发光光谱。随着退火温度的升高,薄膜的结构发生了变化,发光光谱也有相应的改变。
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| 关 键 词： | SiCN C 离子注入 高温退火 X射线光电子能谱(XPS) 光致发光(PL) |
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