Tm,Ho双掺杂YVO4晶体中Tm对HO敏化发光现象

摘要报道了对Tm，Ho双掺YVO4晶体光谱性能的测量结果，包括用UV-365型分光光度计测出单掺TmYVO4及HoYVO4吸收谱以及双掺TmHoYVO4的吸收谱；用Ar离子激光器488nm，LD激光器激发测量样品荧光光谱；用J-O理论进行光谱参数计算及对能级结构进行分析；研究了在λ=805nm的激光二极管激发下Tm对Ho的敏化发光过程。发现与YAG，YLF为基质的Tm，Ho双掺材料相比，该材料中的Tm3+离子具有大而均匀的吸收宽度(～26nm)，大的峰位吸收截面和积分吸收截面(～1.4×10-20cm2和274.5×10-20 cm)，能量转换效率高(可达87％)，且泵浦阈值低(～15mW)。表明了YVO4晶体中Tm能有效地敏化Ho，并产生2μm的发射。文中对发射强度与泵浦功率及Tm，Ho之间掺杂浓度的关系进行了初步的分析与讨论。光谱的观察结果表明在实现LD泵浦，全固体化，小型，高效的，2μm激光振荡的探索中，TmHoYVO4晶体将是一种很有实际应用潜力的材料。

Sensitized Luminescence of Ho3+ by Tm3+ in Tm, Ho Co-doped YVO4 Crystal