首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

温度对氮化铝表面形貌的调控及演化机理
作者单位:中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院大学 材料与光电研究中心,北京 100049;中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室,北京 100083
基金项目:国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金
摘    要:

关 键 词:超宽禁带半导体材料  氮化铝  氢化物气相外延  生长温度  表面形貌
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号