首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

ZnO基紫外探测器的制作与研究
引用本文:杨晓天,刘博阳,马艳,赵佰军,张源涛,杨天鹏,杨洪军,李万程,刘大力,杜国同.ZnO基紫外探测器的制作与研究[J].发光学报,2004,25(2):156-158.
作者姓名:杨晓天  刘博阳  马艳  赵佰军  张源涛  杨天鹏  杨洪军  李万程  刘大力  杜国同
作者单位:吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023;吉林大学,电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点实验室,吉林,长春,130023
基金项目:国家“863”计划(20011AA311130),国家自然科学基金(60177007,60176062)
摘    要:利用新型的等离子体辅助金属有机化学气相沉积(P-MOCVD)系统在蓝宝石、硅等衬底上生长出具有单一c轴取向、高阻的ZnO薄膜,利用添加的等离子体发生装置,进行氮掺杂获得高阻ZnO薄膜。利用ZnO的宽禁带与高光电导特性,结合MSM(金属-半导体-金属)结构器件响应度高、速度快、随偏压变化小、工艺简单、易于单片集成等优点,制作了ZnO基紫外探测器,器件规格为80 μm×100μm,电极为叉指式电极。测试中采用500 W的氙灯做测试光源,探测器的Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示;正向偏压下探测器的暗电流及光照电流与外加偏压呈线性增长。不同波长下的响应曲线显示:探测器对紫外波段有响应,响应峰值在375nm附近。

关 键 词:等离子体辅助金属有机化学气相沉积  ZnO薄膜  紫外探测器
文章编号:1000-7032(2004)02-0156-03
修稿时间:2003年3月17日

Fabrication and Study of ZnO UV Photodetector
YANG Xiao-tian,LIU Bo-yang,MA Yan,ZHAO Bai-jun,ZHAHG Yuan-tao,YANG Tian-peng,YANG Hong-jun,LI Wan-cheng,LIU Da-li,Guo-tong State Key Laboratory on Integrated Opto-electronics,College of Electronic Science and Engineering,Jilin University,Changchun ,China.Fabrication and Study of ZnO UV Photodetector[J].Chinese Journal of Luminescence,2004,25(2):156-158.
Authors:YANG Xiao-tian  LIU Bo-yang  MA Yan  ZHAO Bai-jun  ZHAHG Yuan-tao  YANG Tian-peng  YANG Hong-jun  LI Wan-cheng  LIU Da-li  Guo-tong State Key Laboratory on Integrated Opto-electronics  College of Electronic Science and Engineering  Jilin University  Changchun  China
Institution:YANG Xiao-tian,LIU Bo-yang,MA Yan,ZHAO Bai-jun,ZHAHG Yuan-tao,YANG Tian-peng,YANG Hong-jun,LI Wan-cheng,LIU Da-li,Guo-tong State Key Laboratory on Integrated Opto-electronics,College of Electronic Science and Engineering,Jilin University,Changchun 130023,China
Abstract:
Keywords:plasma assisted MOCVD  ZnO thin film  ultraviolet detector
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号