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MOCVD侧向外延GaN的结构特性
引用本文:方慧智,陆敏,陈志忠,陆羽,胡晓东,杨志坚,张国义.MOCVD侧向外延GaN的结构特性[J].发光学报,2005,26(6):748-752.
作者姓名:方慧智  陆敏  陈志忠  陆羽  胡晓东  杨志坚  张国义
作者单位:北京大学,物理学院;人工微结构和介观物理国家重点实验室,宽禁带半导体研究中心,北京,100871
基金项目:中国科学院资助项目;国家科技攻关项目
摘    要:侧向外延(EL0)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO—GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO—GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO—GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO—GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO—GaN中的应力较小,晶体质量较高。

关 键 词:侧向外延  金属有机化学气相沉积  氮化镓  原子力显微镜  拉曼散射
文章编号:1000-7032(2005)06-0748-05
收稿时间:2005-03-10
修稿时间:2005-06-27

Structural Characterization of Epitaxial Lateral Overgrowth GaN by MOCVD
FANG Hui-zhi,LU Min,CHEN Zhi-zhong,LU Yu,HU Xiao-dong,YANG Zhi-jian,ZHANG Guo-yi.Structural Characterization of Epitaxial Lateral Overgrowth GaN by MOCVD[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(6):748-752.
Authors:FANG Hui-zhi  LU Min  CHEN Zhi-zhong  LU Yu  HU Xiao-dong  YANG Zhi-jian  ZHANG Guo-yi
Institution:State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics, School of Physics ; Research Center for Wide Oap Semiconductors, Peking University, Beijing 100871, China
Abstract:
Keywords:epitaxial lateral overgrowth  MOCVD  GaN  AFM  Raman scattering
本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录!
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