| ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能 |
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| 引用本文： | 方国家,王明军,刘逆霜,李春,艾磊,李军,赵兴中.ZnO纳米线阵列的定向生长、光致发光及场发射性能[J].发光学报,2008,29(3). |
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| 作者姓名： | 方国家 王明军 刘逆霜 李春 艾磊 李军 赵兴中 |
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| 作者单位： | 1. 武汉大学物理科学与技术学院,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072;中国科学院,传感技术联合国家重点实验室,上海,200050
2. 武汉大学物理科学与技术学院,声光材料与器件教育部重点实验室,湖北,武汉,430072 |
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| 基金项目： | 教育部高等学校博士学科点专项科研基金 |
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| 摘 要： | 采用光刻和脉冲准分子激光沉积技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相输运和水热合成法,制备了最小单元为30μm的图形化的垂直定向生长的ZnO纳米线阵列。X射线衍射(XRD)分析显示ZnO纳米线阵列具有高度的c轴001]择优取向生长特性。从扫描电子显微镜(SEM)照片看出,阵列图形完整清晰,边缘整齐。纳米线阵列室温下光致发光(PL)谱线中在380nm左右具有强烈的紫外发射峰,可见光区域发射峰得到了抑制,证明ZnO纳米线缺陷少,晶体质量高。场致电子发射测量表明,ZnO纳米线阵列开启电场和阈值电场分别为2.3,4.2V/μm,具有较好的场致电子发射性能。
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| 关 键 词： | ZnO纳米线阵列 光致发光 场致电子发射 |
Vertically Aligned and Patterned Growth, Photoluminescence and Field Electron Emission Properties of ZnO Nanowires |
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| FANG Guo-jia,WANG Ming-jun,LIU Ni-shuang,LI Chun,AI Lei,LI Jun,ZHAO Xing-zhong.Vertically Aligned and Patterned Growth, Photoluminescence and Field Electron Emission Properties of ZnO Nanowires[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(3). |
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| Authors: | FANG Guo-jia WANG Ming-jun LIU Ni-shuang LI Chun AI Lei LI Jun ZHAO Xing-zhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | aligned ZnO nanowires photoluminescence field electron emission |
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