| 界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响 |
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| 引用本文： | 韩军,赵佳豪,赵杰,邢艳辉,曹旭,付凯,宋亮,邓旭光,张宝顺.界面处理对AlGaN/GaN MIS-HEMTs器件动态特性的影响[J].发光学报,2019,40(7). |
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| 作者姓名： | 韩军 赵佳豪 赵杰 邢艳辉 曹旭 付凯 宋亮 邓旭光 张宝顺 |
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| 作者单位： | 北京工业大学信息学部 光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京,100124;北京工业大学信息学部 光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京 100124;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室, 江苏 苏州 215123;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 纳米器件与应用重点实验室,江苏 苏州,215123 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;国家自然科学基金;北京市自然科学基金;北京市自然科学基金;北京市教委科研项目 |
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| 摘 要： | 研究不同界面处理对AlGaN/GaN金属-绝缘层-半导体(MIS)结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)器件性能的影响。采用N_2和NH_3等离子体对器件界面预处理,实验结果表明,N_2等离子体预处理能够减小器件的电流崩塌,通过对N_2等离子体预处理的时间优化,发现预处理时间10 min能够较好地提高器件的动态特性,30 min时动态性能下降。进一步引入AlN作为栅介质插入层并经过高温热退火后能够有效提高器件的动态性能,将器件的阈值回滞从411 mV减小至111 mV,动态测试表明,在900 V关态应力下,器件的电流崩塌因子从42.04减小至4.76。
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| 关 键 词： | 电流崩塌 AlN栅介质插入层 界面处理 AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管 |
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