| InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱 |
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| 引用本文： | 杨超普,方文卿,毛清华,杨岚,刘彦峰,李春,阳帆.InGaN/GaN多量子阱蓝光LED外延片的变温光致发光谱[J].发光学报,2019,40(7). |
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| 作者姓名： | 杨超普 方文卿 毛清华 杨岚 刘彦峰 李春 阳帆 |
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| 作者单位： | 商洛学院 化学工程与现代材料学院,陕西 商洛 726000;南昌大学 材料科学与工程学院,江西 南昌 330031;南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西 南昌,330047;安徽工业大学 数理科学与工程学院,安徽 马鞍山,243032;商洛学院 化学工程与现代材料学院,陕西 商洛,726000;南昌大学 材料科学与工程学院,江西 南昌 330031;南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心, 江西 南昌 330047 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家自然科学基金;国家自然科学基金;陕西省自然科学基础研究计划 |
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| 摘 要： | 利用MOCVD在Al_2O_3(0001)衬底上制备InGaN/GaN MQW结构蓝光LED外延片。以400 mW中心波长405 nm半导体激光器作为激发光源,采用自主搭建的100～330 K低温PL谱测量装置,以及350～610 K高温PL测量装置,测量不同温度下PL谱。通过Gaussian分峰拟合研究了InGaN/GaN MQW主发光峰、声子伴线峰、n-GaN黄带峰峰值能量、相对强度、FWHM在100～610 K范围的温度依赖性。研究结果表明:在100～330 K温度范围内,外延片主发光峰及其声子伴线峰值能量与FWHM温度依赖性,分别呈现S与W形变化;载流子的完全热化分布温度约为150 K,局域载流子从非热化到热化分布的转变温度为170～190 K;350～610 K高温范围内,InGaN/GaN MQW主发光峰峰值能量随温度变化满足Varshni经验公式,可在MOCVD外延生长掺In过程中,通过特意降温在线测PL谱,实时推算掺In量,在线监测外延片生长。以上结果可为外延片的PL发光机理研究、高温在线PL谱测量设备开发、掺In量的实时监测等提供参考。
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| 关 键 词： | GaN 多量子阱 发光二极管 外延 光致发光 |
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