| SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx:H薄膜PL峰的影响 |
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| 引用本文： | 王小波,刘渝珍,奎热西,董立军,陈大鹏.SiH2Cl2-NH3配比对a-SiNx:H薄膜PL峰的影响[J].发光学报,2005,26(4):502-506. |
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| 作者姓名： | 王小波 刘渝珍 奎热西 董立军 陈大鹏 |
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| 作者单位： | 中国科学院,研究生院,北京,100049;中国科学院,高能物理所,北京,100049;中国科学院,微电子研究所,北京,100029 |
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| 摘 要： | 低压化学气相沉积制备的纳米硅镶嵌结构的a-SiNx：H薄膜，在3．75eV的激光激发下，室温下发射1～3个高强度的可见荧光。在相同的沉积温度下（900℃），选择不同的SiH2Cl2和NH3气体配比时，所得薄膜表现出不同的荧光属性，荧光峰的峰位和数目有着显著的变化。通过TEM、IR、XPS等分析手段对其原因进行了研究分析，认为不同配比下，生成的薄膜中缺陷态的种类和密度有所不同，这影响了其PL峰个数及其各峰的相对强弱。
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| 关 键 词： | 纳米硅镶嵌结构 SiNx膜 光致发光 低压化学气相沉积 |
| 文章编号： | 1000-7032（2005）04-0502-05 |
| 收稿时间： | 2004-08-24 |
| 修稿时间： | 2004-12-15 |
Photoluminescence Properties of Silicon-rich SiNx Films Deposited from the SiH2Cl2-NH3 Reactant Mixture in LPCVD |
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| WANG Xiao-bo,Liu Yu-zhen,KUI Re-xi,Dong Li-jun,CHEN Da-peng.Photoluminescence Properties of Silicon-rich SiNx Films Deposited from the SiH2Cl2-NH3 Reactant Mixture in LPCVD[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(4):502-506. |
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| Authors: | WANG Xiao-bo Liu Yu-zhen KUI Re-xi Dong Li-jun CHEN Da-peng |
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