| 热处理对ZnO∶Zn荧光薄膜结晶性能的影响 |
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| 引用本文： | 张晓松,李岚,王达健.热处理对ZnO∶Zn荧光薄膜结晶性能的影响[J].发光学报,2006(2). |
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| 作者姓名： | 张晓松 李岚 王达健 |
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| 作者单位： | 天津理工大学材料物理研究所，天津理工大学材料物理研究所，天津理工大学材料物理研究所 天津300191，南开大学现代光学研究所，天津300071，天津300191，天津300191 |
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| 基金项目： | 天津理工学院科技发展基金(Lg04032)，天津市自然科学基金(013615211)，天津市“材料物理与化学”重点学科基金资助项目 |
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| 摘 要： | 用热处理方法对电子束蒸发制备的ZnO∶Zn荧光薄膜分别进行400,600℃退火处理。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电子显微镜、光致发光光谱等方法,表征了ZnO∶Zn荧光薄膜的结构、成分、形貌、发光性能。在ZnO∶Zn荧光薄膜的X射线衍射谱和扫描电子显微镜照片中,可以看出经退火处理后结晶状况大大改善,多晶结构趋于规则,晶粒更加均匀且膜层结构更加致密。在ZnO∶Zn荧光薄膜的光致发光谱中,检测到490 nm处发光峰,认为一价氧空位(VO)充当发光中心,且薄膜的光致发光强度受热处理温度的影响很大。实验表明随着退火温度的升高,薄膜的结晶程度提高,弥补了薄膜晶体表面的表面缺陷,薄膜的发光性能不断提高。
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| 关 键 词： | 热处理 ZnO∶Zn薄膜 电子束蒸发 场发射显示器(FED) |
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