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| 多晶Lu_2SiO_5∶Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性 | |
| 引用本文： | 范灵聪,张瑜瑜,张园,施鹰,谢建军,雷芳.多晶Lu_2SiO_5∶Ce发光粉体中Ce价态的XANES表征及其VUV光谱特性[J].发光学报,2014,35(9):1027. |
| 作者姓名： | 范灵聪 张瑜瑜 张园 施鹰 谢建军 雷芳 |
| 作者单位： | 范灵聪:上海大学 材料科学与工程学院, 上海200444 张瑜瑜:上海大学 材料科学与工程学院, 上海200444 张园:上海大学 材料科学与工程学院, 上海200444 施鹰:上海大学 材料科学与工程学院, 上海200444 谢建军:上海大学 材料科学与工程学院, 上海200444 雷芳:上海大学 材料科学与工程学院, 上海200444 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51172139)资助项目 |
| 摘 要： | 采用X射线吸收近边结构(XANES)谱对多晶Lu2SiO5∶Ce(LSO∶Ce)发光粉体中Ce元素的化合价状态进行了表征,结果表明:在空气下煅烧后得到的不同Ce掺杂浓度的LSO∶Ce粉体中,Ce3+在总掺杂Ce中的含量仅为18%~39%;而经1 000℃/2 h的氢气气氛下退火后,LSO∶0.5%Ce粉体中Ce3+的相对含量由39%大幅提高到83%。真空紫外(VUV)激发发射光谱表明:当Ce的掺杂摩尔分数为0.25%~1%时,Ce3+的摩尔分数与LSO∶Ce粉体的发光强度具有很好的关联性。氢气退火处理可以使LSO∶Ce粉体的发光强度提高近40%。LSO∶Ce粉体在变温条件(50~250 K)下的发射强度表现出良好的稳定性,未观察到热猝灭现象发生。 |
| 关 键 词： | LSO∶Ce 化合价 X-射线吸收近边结构 VUV光谱 |
| 收稿时间： | 2014/5/26 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |