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| 表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响 | |
| 引用本文： | 尹君,黄伟其,黄忠梅,苗信建,刘仁举,周年杰.表面键合对硅(111)量子面电子结构的影响[J].发光学报,2014,35(9):1082. |
| 作者姓名： | 尹君 黄伟其 黄忠梅 苗信建 刘仁举 周年杰 |
| 作者单位： | 尹君:贵州大学纳米光子物理研究所 光电子技术与应用省重点实验室, 贵州 贵阳550025 黄伟其:贵州大学纳米光子物理研究所 光电子技术与应用省重点实验室, 贵州 贵阳550025 黄忠梅:贵州大学纳米光子物理研究所 光电子技术与应用省重点实验室, 贵州 贵阳550025 苗信建:贵州大学纳米光子物理研究所 光电子技术与应用省重点实验室, 贵州 贵阳550025 刘仁举:贵州大学纳米光子物理研究所 光电子技术与应用省重点实验室, 贵州 贵阳550025 周年杰:贵州大学纳米光子物理研究所 光电子技术与应用省重点实验室, 贵州 贵阳550025 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(11264007)资助项目 |
| 摘 要： | 将纳米硅薄膜看成理想的一维限制的量子面结构,通过第一性原理计算研究了不同厚度的硅(111)量子面的能带结构及态密度。随着量子面厚度的变化,在Si—H键钝化较好的量子面结构上,其带隙宽度变化主要遵循量子限制效应规律。当在表面掺杂时,模拟计算表面含Si—N键的硅(111)量子面的结果表明:在一定厚度范围内,带隙宽度主要由量子限制效应决定;超过这个厚度,带隙宽度同时受量子限制效应和表面键合结构的影响。保持量子面厚度不变,表面掺杂浓度越大则带隙变窄效应越明显。同样,模拟计算含Si—Yb键的硅(111)量子面的结果也有同样的效应。几乎所有的模拟计算结果都显示:量子面的能带结构均呈现出准直接带隙特征。 |
| 关 键 词： | 硅量子面 表面键合 量子限制效应 带隙变窄效应 |
| 收稿时间： | 2014/6/12 |
Influence of Surface Bond on Electronic Structure of Si (111) Quantum Surface |
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| Abstract: | |
| Keywords: | silicon quantum surface surface bond quantum confinement effect band gap narrowing effect |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |