| Ag掺杂P型ZnO薄膜及其同质结的光电性质 |
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| 引用本文： | 孙利杰,钟声,张伟英,王筝,林碧霞,傅竹西.Ag掺杂P型ZnO薄膜及其同质结的光电性质[J].发光学报,2008,29(2):304-308. |
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| 作者姓名： | 孙利杰 钟声 张伟英 王筝 林碧霞 傅竹西 |
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| 作者单位： | 中国科学技术大学,物理系,安徽,合肥,230026 |
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| 摘 要： | 采用磁控溅射技术在Si基片上生长了Ag掺杂的ZnO薄膜,XRD测试表明所得薄膜结晶性质良好,未出现Ag的分相。未掺杂和Ag掺杂氧化锌薄膜的低温(10K)光致发光(PL)谱显示:Ag的掺入使得中性施主束缚激子发射(D0X)显著减弱,并且在3.315eV处观测到了与Ag有关的施主-受主对(DAP)发射,受主缺陷的形成归因于掺入的Ag替位Zn。计算得到受主能级离价带顶约110meV。霍尔效应测得电阻率约0.1Ω.cm,迁移率约36cm2/V.s,空穴浓度约1.7×1018cm-3。在此基础上制备了ZnO∶Ag/ZnO的同质结,I-V测试显示了明显的整流特性,且反向漏电流很小。所有结果表明Ag掺杂的氧化锌薄膜已经转化为p型。
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| 关 键 词： | Ag掺杂氧化锌 低温PL谱 施主-受主对 同质结 |
| 文章编号： | 1000-7032(2008)02-0304-05 |
| 修稿时间： | 2007年10月25 |
Electrical and Optical Properties of Ag Doped p-type ZnO Films and Its Homojunctions Properties |
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| SUN Li-jie,ZHONG Sheng,ZHANG Wei-ying,WANG Zheng,LIN Bi-xia,FU Zhu-xi.Electrical and Optical Properties of Ag Doped p-type ZnO Films and Its Homojunctions Properties[J].Chinese Journal of Luminescence,2008,29(2):304-308. |
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| Authors: | SUN Li-jie ZHONG Sheng ZHANG Wei-ying WANG Zheng LIN Bi-xia FU Zhu-xi |
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| Keywords: | Ag doped ZnO low temperature PL spectra DAP homojunction |
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