| InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响 |
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| 引用本文： | 余浩,郑畅达,丁杰,莫春兰,潘拴,刘军林,江风益.InGaN绿光LED中p-AlGaN插入层对发光效率提升的影响[J].发光学报,2019,40(9). |
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| 作者姓名： | 余浩 郑畅达 丁杰 莫春兰 潘拴 刘军林 江风益 |
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| 作者单位： | 南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西 南昌,330096;南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西 南昌,330096;南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西 南昌,330096;南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西 南昌,330096;南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西 南昌,330096;南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西 南昌,330096;南昌大学 国家硅基LED工程技术研究中心,江西 南昌,330096 |
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| 基金项目： | 国家重点研发计划;国家重点研发计划;国家自然科学基金;江西省发展计划资助项目;江西省发展计划资助项目 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 绿光LED p-AlGaN插入层(IL) 外量子效率 V坑 空穴注入效率 |
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