| 高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制 |
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| 引用本文： | 慎小宝,李豫东,玛丽娅·黑尼,赵晓凡,莫敏·赛来,许焱,雷琪琪,艾尔肯·阿不都瓦衣提,郭旗,陆书龙.高注量1 MeV电子辐照下InGaAs单结太阳电池退化规律与机制[J].发光学报,2019,40(9). |
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| 作者姓名： | 慎小宝 李豫东 玛丽娅·黑尼 赵晓凡 莫敏·赛来 许焱 雷琪琪 艾尔肯·阿不都瓦衣提 郭旗 陆书龙 |
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| 作者单位： | 中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学,北京 100049;中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011;中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆电子信息材料与器件重点实验室,中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011;新疆大学 物理科学与技术学院,新疆 乌鲁木齐 830046;中国科学院 苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州,215123 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金;国家自然科学基金;中国科学院新疆理化技术研究所所长基金;西部之光"人才培养计划 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | InGaAs单结太阳电池 高注量电子 位移损伤 载流子寿命 载流子去除效应 |
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