| 紫外激光晶体Ce3+:LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应 |
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| 引用本文： | 魏亚光,施朝淑,周东方,陶德节,汤洪高.紫外激光晶体Ce3+:LiSrAlF6发光温度依赖中的陷阱效应[J].发光学报,2001,22(3):258-262. |
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| 作者姓名： | 魏亚光 施朝淑 周东方 陶德节 汤洪高 |
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| 作者单位： | 1. 中国科学技术大学国家同步辐射实验室
2. 中国科学院安徽光学精密机械研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(59732040) |
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| 摘 要： | 在105－300K温区内，测量了X射线激发下Ce^3 :LiSrAlF6晶体发光强度的温度依赖（I－T），在237－300K温区内发光强度有特殊的增强结构，结合105-300K温区内热释光的测量，证实这种发光强度的增强效应是由于陷阱参与发光过程所导致，通过对热释光曲线的进一步分析，得到深度分别为0．51eV和0．55eV的陷阱能级，这些陷阱主要源于Ce^3 取代Sr^2 所形成的杂质缺陷和基质LiSrAlF6中的F^-空位以及Li^ 空位所形成的本征缺陷。
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| 关 键 词： | Ce^3＋：LiSrAlF6 晶体 发光强度 温度依赖 热释光 陷阱 紫外激光 本征缺陷 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)03-0258-05 |
| 修稿时间： | 2000年6月18日 |
Traps Effect on Temperature Dependence ofLuminescent Intensity of Ce3 + :LiSrAIF6 UV Laser Crystal |
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