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| Si1—yCy合金的固相外延生长及其特性 | |
| 引用本文： | 于卓,余金中.Si1—yCy合金的固相外延生长及其特性[J].发光学报,1999,20(1):60-64. |
| 作者姓名： | 于卓 余金中 |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所 |
| 摘 要： | 采用固相外延的方法在Ｓｉ（１００）衬底上生长了Ｃ组分为０．５ａｔＴ的Ｓｉ１－ｙＣｙ合金，并对合金的质量及特性进行了测试分析。 |
| 关 键 词： | 硅碳合金 半导体 离子注入 固相外延 晶体质量 |
SOLID PHASE EPITAXY OF Si 1-y C y ALLOY AND ITS CHARACTERISTICS |
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| Yu Zhuo Yu Jinzhong Cheng Buwen Lei Zhenlin Li Daizong,Wang Qiming Liang Junwu.SOLID PHASE EPITAXY OF Si 1-y C y ALLOY AND ITS CHARACTERISTICS[J].Chinese Journal of Luminescence,1999,20(1):60-64. | |
| Authors: | Yu Zhuo Yu Jinzhong Cheng Buwen Lei Zhenlin Li Daizong Wang Qiming Liang Junwu |
| Abstract: | |
| Keywords: | Si 1-y C y alloy ion implantaion solid phase epitaxy recrystallization |
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