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| 纳米SiC蓝光发射的研究 | |
| 引用本文： | 刘渝珍,陆忠乾.纳米SiC蓝光发射的研究[J].发光学报,1999,20(1):50-54. |
| 作者姓名： | 刘渝珍 陆忠乾 |
| 作者单位： | 中国科学技术大学研究生院，中国科学技术大学，中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 基金项目： | 中国科技大学研究生院院长择优基金 |
| 摘 要： | 在４．６８ｅＶ的激光激发下，室温ＣＶＤ合成的纳米ＳｉＣ粉体，可发射４７５ｎｍ的蓝光，经６００～１１００℃在Ｎ２气氛下进行快速退火（ＲＴＡ）处理，其荧光强度随退火温度升高而增强，当Ｔ≥９００℃时，荧光强度下降，但发光峰位与退火温度无关．通过ＸＲＤ、ＩＲ、ＴＥＭ、ＸＰＳ等研究，认为纳米ＳｉＣ中与氧有关的缺陷可能是引起４７５ｎｍ蓝光发射的主要原因 |
| 关 键 词： | 纳米SiC粉体，蓝色荧光，快速热退火（RTA） |
A STUDY OF BLUE EMISSION FROM NANO SiC POWDERS |
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| Liu Yuzhen Huang Yunlan,a,Shi Wanquan Liu Shixiang Yao Decheng Zhang Shuyuan,a,Han Yiqin.A STUDY OF BLUE EMISSION FROM NANO SiC POWDERS[J].Chinese Journal of Luminescence,1999,20(1):50-54. | |
| Authors: | Liu Yuzhen Huang Yunlan a Shi Wanquan Liu Shixiang Yao Decheng Zhang Shuyuan a Han Yiqin |
| Abstract: | |
| Keywords: | nanometer SiC powders blue luminescence rapid thermal annealing(RTA) |
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