| ZnO肖特基势垒紫外探测器 |
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| 引用本文： | 高晖,邓宏,李燕.ZnO肖特基势垒紫外探测器[J].发光学报,2005,26(1):135-138. |
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| 作者姓名： | 高晖 邓宏 李燕 |
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| 作者单位： | 电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;电子科技大学微电子与固体电子学院,四川,成都,610054 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973计划);国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 以p-Si(111)为衬底，用水热法首次制得六棱微管ZnO。并以此为有源区利用平面磁控溅射技术沉积得到Ag叉指状电报，从而制作了Ag／n-ZnO肖特基势垒结紫外探测器。对该紫外光探测器的暗电流和365nm波长光照下的光电流、光响应和量子效率进行了测试。测试结果表明：Ag和ZnO六棱管间已形成肖特基接触．其有效势垒高度为0．35eV。无光照时，暗电流很小，当用λ=365nm的光照射Ag/n-ZnO肖特基结时．在5．9V偏压时，光生电流分别为25．6，57．9μA。Ag／n-ZnO紫外探测器有明显的光响应特性和较高的量子效率，在366nm波长处，光响应度达到最大值0．161A／W，量子效率为54．7％。
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| 关 键 词： | 六棱微管ZnO 肖特基势垒结 紫外光探测器 I-V特性 光响应度 量子效率 |
| 文章编号： | 1000-7032(2005)01-0135-04 |
| 修稿时间： | 2004年9月15日 |
ZnO Schottky Barrier UV Photodetector |
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| GAO Hui,DENG Hong,LI Yan.ZnO Schottky Barrier UV Photodetector[J].Chinese Journal of Luminescence,2005,26(1):135-138. |
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| Authors: | GAO Hui DENG Hong LI Yan |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | hexagonal microtube ZnO Schottky barrier UV photodetector I-V characteristic spectral (responsivity ) quantum efficiency |
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