| Tb掺杂氟化铅晶体的发光特征 |
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| 引用本文： | 任国浩,沈定中,刘光煜,倪海洪,李泽逵,殷之文.Tb掺杂氟化铅晶体的发光特征[J].发光学报,2000,21(3):190-195. |
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| 作者姓名： | 任国浩 沈定中 刘光煜 倪海洪 李泽逵 殷之文 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
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| 摘 要： | 用非真空Bridgman方法制备了掺有Tb杂质的氟化铅（PbF2:Tb)晶体，闯杂浓度从0.008at.%至0.6at.%。在室温下测量了该晶体的吸收和发射光谱，发现该晶体在X－射线和紫外线激发下均能够发出比较强的荧光。FbF2:Tb晶体的光吸收起源于Tb^3 离子的4f-4f跃迁，而其光发射则源于Tb^3 离子的电子分别从其激发态^5D3和^5D4能级路迁到基态^7Fj(J=6,5,4,3,2)。 荧光强度随掺杂浓度的提高而提高，当Tb^3 离子浓度较低时，以^5D3→^7FJ跃迁发射为主，当Tb^3 离子浓度较高时，则以^5D4→^7FJ跃迁发射为主。在同一晶体中，发光强度随中心所占晶格位置的改变而改变，反映出Tb^3 离子在PbF2晶体中的分布具有分凝系数大于1的特征。推测Tb^3 离子在PbF2晶体中占据Pb格位，同时产生间隙F^-离子缺陷来平衡电价。
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| 关 键 词： | 掺杂 发光 氟化铅晶体 铽离子 |
Fluorescent Peculiarity of Lead Fluoride Crystal Doped with Tb3+ Ions |
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| REN Guo-hao,SHEN Ding-zhong,LIU Guang-yu,NI Hai-hong,LI Ze-kui,YIN Zhi-wen.Fluorescent Peculiarity of Lead Fluoride Crystal Doped with Tb3+ Ions[J].Chinese Journal of Luminescence,2000,21(3):190-195. |
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| Authors: | REN Guo-hao SHEN Ding-zhong LIU Guang-yu NI Hai-hong LI Ze-kui YIN Zhi-wen |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | lead fluoride turbium ion doping fluorescence |
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