| 三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱 |
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| 引用本文： | 高玉琳,吕毅军,郑健生,李志锋,蔡炜颖,王晓光.三元合金Ga0.52In0.48P的喇曼散射谱[J].发光学报,2001,22(2):107-110. |
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| 作者姓名： | 高玉琳 吕毅军 郑健生 李志锋 蔡炜颖 王晓光 |
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| 作者单位： | 1. 厦门大学物理系,
2. 中国科学院上海技术物理研究所, |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(69776011)；福建省自然科学基金；上海技术物理所红外物理国家重点实验室基金资助项目 |
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| 摘 要： | 采用室温下微区Raman散射方法，观测到了GaInP2的LO双模行为和禁戒的TO模，由于晶格有序导致晶体对称性从Td降低为C3v，从而使禁戒的TO模变为Raman活性。在所有的样品中都观测到了由晶格无序激活的DALA模。在有序样品中，除观测到二级Raman散射峰LO1＋LO2以外，还观测到了由超晶格效应所导致的FLA折叠模和LO模的分裂。对LO模峰谷b/a的分析表明，随着晶格有序度的增加，b/a值减小。这是因为：一方面主要是由于禁戒的TO模变为Raman活性所引起的，另一方面，还可能有LO1模和LO2模分裂的贡献。在实验上，可以用b/a值或FLA的强度来表示样品的有序度。
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| 关 键 词： | Ⅲ－Ⅴ族半导体 喇曼散射谱 有序度 |
| 文章编号： | 1000-7032(2001)02-0107-04 |
| 修稿时间： | 2000年5月30日 |
Raman Spectra of GaxIn1-xP(x =0.52) |
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