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结温对GaN基白光LED光学特性的影响
引用本文:钟文姣,魏爱香,招瑜.结温对GaN基白光LED光学特性的影响[J].发光学报,2013,34(9):1203-1207.
作者姓名:钟文姣  魏爱香  招瑜
作者单位:广东工业大学材料与能源学院,广东广州,510006
基金项目:广东省高校优秀青年创新人才培养项目
摘    要:制备了一个可测量n型GaN材料电阻的白光LED样品,测量了从室温到170℃下的LED芯片的n-GaN材料的电阻,发现n-GaN材料的电阻随温度的升高而增大,且两者呈一定的指数关系。利用这一特性,通过测量LED工作状态下内部所用GaN材料的电阻,可以实现对LED结温的测量。通过改变积分球底板温度使LED样品处于不同的结温下,测量了白光LED的光谱及色度学参数,结果表明:白光LED的峰值波长、显色指数、色温、光通量均与结温成一定的线性关系。

关 键 词:发光二极管  结温  电阻  光谱  色度学参数

Dependence of GaN-based White LED Colorimetric Parameters on Junction Temperature
ZHONG Wen-jiao , WEI Ai-xiang , ZHAO Yu.Dependence of GaN-based White LED Colorimetric Parameters on Junction Temperature[J].Chinese Journal of Luminescence,2013,34(9):1203-1207.
Authors:ZHONG Wen-jiao  WEI Ai-xiang  ZHAO Yu
Institution:ZHONG Wen-jiao;WEI Ai-xiang;ZHAO Yu;School of Material and Energy,Guangdong University of Technology;
Abstract:
Keywords:light emitting diodes  junction temperature  resistance  spectrum  colorimetric parameters
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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